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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m21c.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W34R/3RTBQ48
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21c/2018/09.28.18.37   (acesso restrito)
Última Atualização2018:09.28.18.37.10 (UTC) simone
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21c/2018/09.28.18.37.10
Última Atualização dos Metadados2019:01.14.17.06.35 (UTC) administrator
DOI10.1088/2053-1591/aadeb7
ISSN2053-1591
Chave de CitaçãoFornariRMFTPPPA:2018:StDeEl
TítuloStructural defects and electronic phase diagram of topological insulator bismuth telluride epitaxial films
Ano2018
Data de Acesso09 maio 2024
Tipo de Trabalhojournal article
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho1752 KiB
2. Contextualização
Autor1 Fornari, Celso Israel
2 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira
3 Morelhão, S. L.
4 Fornari, Gabriel
5 Travelho, Jerônimo dos Santos
6 Pirralho, M. J. P.
7 Pena, F. S.
8 Peres, M. L.
9 Abramof, Eduardo
Identificador de Curriculo1
2 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37
3
4
5 8JMKD3MGP5W/3C9JHE7
6
7
8
9 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
ORCID1 0000-0003-1765-2999
2
3 0000-0003-1643-0948
4
5
6
7
8 0000-0002-6635-0244
Grupo1 LABAS-COCTE-INPE-MCTIC-GOV-BR
2 LABAS-COCTE-INPE-MCTIC-GOV-BR
3
4 CAP-COMP-SESPG-INPE-MCTIC-GOV-BR
5 LABAC-COCTE-INPE-MCTIC-GOV-BR
6
7
8
9 LABAS-COCTE-INPE-MCTIC-GOV-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Universidade de São Paulo (USP)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
6 Universidade Federal de Itajubá (UNIFEI)
7 Universidade Federal de Itajubá (UNIFEI)
8 Universidade Federal de Itajubá (UNIFEI)
9 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Endereço de e-Mail do Autor1 celso.fornari@inpe.br
2 paulo.rappl@inpe.br
3
4 gabrielfornari@gmail.com
5
6
7
8
9 eduardo.abramof@inpe.br
RevistaMaterials Research Express
Volume5
Número11
Páginas116410
Histórico (UTC)2018-09-28 18:39:29 :: simone -> administrator :: 2018
2019-01-14 17:06:35 :: administrator -> simone :: 2018
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-Chavebismuth telluride
molecular beam epitaxy
structural properties
electrical properties
ResumoIn this work, bismuth telluridefilms are grown bymolecular beamepitaxy (MBE) on (111) BaF2 substrates, using stoichiometricBi2Te3 and additional Te solid sources.The growth dynamics and structural defects are investigated in detail as function of substrate temperature, Bi2Te3flux and extra Te supply, bymeans of atomic forcemicroscopy, Raman spectroscopy and reciprocal spacemapping.The growth rate increases linearly with theBi2Te3flux and the most appropriate conditions to grow high-quality Bi2Te3 single layers is found to be in a narrowwindowofMBEparameters. At low growth temperaturesTe clusters are formed, while the Te deficit increases with raising substrate temperature and decreasing deposition rate. It results in filmswithBi-richer phases due to the formation ofBi double layers in betweenBi2Te3 quintuple layers. The electronic transport properties are also studied by temperature dependent resistivity and Hall measurements. By properly changing the substrate temperature and/or the extra Te supply, the behavior of the films canvary frominsulating tometallicaswell as themajor carriers fromp- ton-type.Theelectronicphase diagram presented here provides a fast route to control the bulk conductance properties of bismuth telluride, which enables the production of intrinsic bulk insulating films. In addition, the results suggest the possibility of growing intrinsic sharp p-n junctions of Bi2Te3 by properly monitoring the occurrence of structural defects,which is the first step for practical applications of this topological insulatormaterial.
ÁreaFISMAT
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agreement.html 28/09/2018 15:37 1.0 KiB 
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoFornari_2018_Mater._Res._Express_5_116410-1.pdf
Grupo de Usuáriossimone
Grupo de Leitoresadministrator
simone
Visibilidadeshown
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESGTTP
8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
8JMKD3MGPCW/3F2PHGS
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/bibdigital/2013/09.24.19.30 8
sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.57.50 7
sid.inpe.br/bibdigital/2013/09.22.23.14 2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCOPUS.
Acervo Hospedeirourlib.net/www/2017/11.22.19.04
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivingpolicy archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository month nextedition notes parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url
7. Controle da descrição
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